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電腦內(nèi)存的基本知識
內(nèi)存是計算機(jī)運(yùn)行的核心組建之一，計算機(jī)中所有程序的運(yùn)行都是在內(nèi)存中進(jìn)行的，下面我們一起來了解關(guān)于電腦內(nèi)存的基本知識，歡迎大家閱讀!
1、 內(nèi)存的作用
當(dāng)CPU在工作時，需要從硬盤等外部存儲器上讀取數(shù)據(jù)，但由于硬盤這個“倉庫”太大，加上離CPU也很“遠(yuǎn)”，運(yùn)輸“原料”——數(shù)據(jù)的速度就比較慢，導(dǎo)致CPU的生產(chǎn)效率大打折扣!為了解決這個問題，人們便在CPU與外部存儲器之間，建了一個“小倉庫”——內(nèi)存。
內(nèi)存雖然容量不大，一般只有幾百M(fèi)B到幾GB，但中轉(zhuǎn)速度非常快，如此一來，當(dāng)CPU需要數(shù)據(jù)時，事先可以將部分?jǐn)?shù)據(jù)存放在內(nèi)存中，以解CPU的燃眉之急。由于內(nèi)存只是一個“中轉(zhuǎn)倉庫”，因此它并不能用來長時間存儲數(shù)據(jù)。
2、 內(nèi)存的外觀
內(nèi)存由內(nèi)存芯片、電路板、金手指等部分組成。它的各組成部分及其作用如下：
內(nèi)存芯片：內(nèi)存中最重要的元件，用于臨時存儲數(shù)據(jù)。
電路板：用于承載和焊接內(nèi)存芯片的PCB板。
金手指：內(nèi)存與主辦進(jìn)行連接的“通道”。
內(nèi)存卡槽：用于將內(nèi)存固定在內(nèi)存插槽中。
內(nèi)存缺口：與內(nèi)存插槽中的凸起設(shè)計配對，防止內(nèi)存錯誤插入。
3、 內(nèi)存的分類
內(nèi)存可以按照讀寫方式的不同和工作方式的不同進(jìn)行分類。
按讀寫方式
按照內(nèi)存的讀取方式可將內(nèi)存分為RAM和ROM兩類。
(1)RAM(Random Access Memory，隨機(jī)存取存儲器)：分為兩種，一種是Dynamic RAM(DRAM，動態(tài)隨機(jī)存取存儲器)，它具有集成度高、結(jié)構(gòu)簡單、功耗低以及生產(chǎn)成本低等特點(diǎn)，主要應(yīng)用在計算機(jī)的主存儲器中，如內(nèi)存和顯示內(nèi)存(顯存);另一種是Static RAM(SRAM，靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器)，其結(jié)構(gòu)相對較復(fù)雜，造價高、速度快，所以一般SRAM多應(yīng)用于高速小容量存儲器中，如Cache。在RAM中存儲的數(shù)據(jù)在斷電時會丟失，因而只能在運(yùn)行時存儲數(shù)據(jù)。
(2)ROM(Read Only Memory，只讀存儲器)：ROM的特點(diǎn)是價格高、容量小，而且一般只能從中讀取信息而不能寫入信息。但是ROM保存的數(shù)據(jù)在斷電后可保持不變，因此多用于存放一次性寫入的程序或數(shù)據(jù)，如用于存儲主板和顯卡BIOS芯片的相關(guān)信息。
按工作方式
根據(jù)內(nèi)存的工作方式，可將內(nèi)存分為FPM RAM，EDO RAM，SDRAM和DDR SDRAM等幾種。
(1)FPM RAM(快頁模式存儲器)：FPM RAM全稱為Fast Page Mode RAM，是在早期的個人計算機(jī)中使用最廣泛的內(nèi)存，它在三個時鐘周期才傳送一次數(shù)據(jù)，因此性能較低�，F(xiàn)在這種內(nèi)存已經(jīng)被市場淘汰。
(2)EDO RAM(擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出存儲器)：EDO RAM全稱為Extended Data Out RAM，是486時代以及早起的Pentium個人計算機(jī)中常用的一種內(nèi)存，它的運(yùn)行速度比FPM RAM快，可在兩個時鐘周期就傳送一次數(shù)據(jù)，使存取速度提高30%，大大提高了計算機(jī)的運(yùn)行效率。不過這種內(nèi)存現(xiàn)在已經(jīng)被淘汰。
(3)SDRAM(同步動態(tài)隨機(jī)存儲器)：SDRAM(Synchronous Dynamic RAM)采用一種雙存儲體結(jié)構(gòu)，它的工作頻率與CPU的外頻一樣。SDRAM內(nèi)存的規(guī)格有PC 100，PC 133和PC 150等，其中的數(shù)字表示內(nèi)存工作的時鐘頻率。SDRAM除了作為內(nèi)存存儲芯片外，還可以作為顯卡的存儲芯片。SDRAM在目前的零售市場中幾乎難以看到，更多時候出現(xiàn)在二手市場。
(4)DDR SDRAM(雙倍速率同步動態(tài)隨機(jī)存儲器)：DDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM)是在SDRAM內(nèi)存的基礎(chǔ)上發(fā)展而來的，一般簡稱為DDR，其傳輸速率是同頻率SDRAM內(nèi)存?zhèn)鬏斔俾实膬杀�。SDRAM內(nèi)存在每個時鐘周期的上升沿傳送一次數(shù)據(jù)，而DDR SDRAM則在時鐘周期的上升沿和下降沿各傳送一次數(shù)據(jù)，這樣不需要提升時鐘的頻率就能成倍地提高SDRAM的存取速度。DDR SDRAM也是以內(nèi)存芯片的工作頻率來命名的。如DDR 400表示該內(nèi)存芯片的工作頻率為200MHz，由于DDR在時鐘周期的上升沿和下降沿都傳送數(shù)據(jù)，因此該內(nèi)存的實際工作頻率為400MHz，于是被稱為DDR 400。
(5)DDR2內(nèi)存：DDR2內(nèi)存是在DDR SDRAM的基礎(chǔ)上發(fā)展而來，其最低工作頻率為400MHz，還有更高的工作頻率，如533MHz，667MHz，800MHz和1066MHz等。DDR2內(nèi)存采用了240pin的FBGA封裝，采用較先進(jìn)的0.13μm生產(chǎn)工藝，工作電壓為1.8V。
(6)DDR3內(nèi)存：DDR3相比起DDR2有更低的工作電壓， 從DDR2的1.8V降落到1.5V，性能更好更為省電;DDR2的4bit預(yù)讀升級為8bit預(yù)讀。DDR3目前主流頻率為1333MHz和1600MHz。
(7)RDRAM：RDRAM全稱為Rambus DRAM，它是由Rambus公司開發(fā)的，是一種具有獨(dú)特的系統(tǒng)帶寬、芯片和芯片接口的新型DRAM。它可以工作在很高的頻率下，同時在時鐘周期的上升沿和下降沿傳輸數(shù)據(jù)。從技術(shù)上來看，RDRAM是一種比較先進(jìn)的內(nèi)存，但由于價格高，在市場上普及不是很實際。如今的RDRAM已經(jīng)退出了普通臺式機(jī)市場。
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